全球DRAM内存芯片主要垄断在三星、SK海力士及美光手里，三家的份额高达95%，同时技术也是领先的，美光前不久更是抢先宣布量产1β内存芯片，这是当前最先进的内存芯片。

内存工艺进入20nm节点之后，厂商的命名已经发生了变化，都被称为10nm级内存，但有更细节的划分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。

在1α，1β，1γ这三代中，三星在1α上就开始用EUV光刻工艺，但是代价就是成本高，美光现在量产的1β工艺就是最先进的。

1β到底相当于多少nm？美光日前在日本举行了一次沟通会，介绍了1β内存的一些进展，指出它的工艺水平相当于13nm，而且美光依然没有使用EUV工艺，避免了昂贵的光刻机。

不使用EUV光刻，美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺，实现了35%的存储密度提升，同时省电15%。

1β之后还有1γ工艺，估计会是12nm级别，制造难度更大，但美光依然没有明确是否使用EUV光刻机，他们的目标很可能是继续使用现有工艺改进，避免EUV光刻机的成本。